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年度 2010
全部作者 Ching-Yuan Ho, Y. F. Chen, C. W. Ho, Wei. Chang, S. W. Chou, and J. Gong
論文名稱 Retention Behavior Using SiN Spacers Charging on nMOSFETs for Future Nonvolatile Memory Application
期刊名稱 Journal of The Electrochemical Society
卷數 158
期數 5
起頁 H536
迄頁 H539
期刊等級 SCI
發表日期 2011-05-01