年度 | 2015 |
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全部作者 | Shih-Hung Lin, You-Lin Wu, Yu-Huei Hwang , Jing-Jenn Lin |
作者類別 | First Author |
論文名稱 | Study of Radiation Hardness of HfO2-based Resistive Switching Memory at Nanoscale by Conductive Atomic Force Microscopy |
期刊名稱 | Microelectronics reliability |
卷數 | 55 |
期數 | 11 |
起頁 | 2224 |
迄頁 | 2228 |
期刊等級 | SCI,EI |
總頁數 | 5 |
語言 | 英文 |